TN6725A_D27Z

产品描述

NPN DARL MLITHIC, DBL-DIFF, SI

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2000	¥1.953

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规格书	TN6725A
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2,000
晶体管类型	NPN - Darlington
- 集电极电流（Ic）（最大）	1.2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	1.5V @ 2mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大）	-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	4000 @ 1A, 5V
功率 - 最大	1W
频率转换	-
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装	TO-226
包装材料	Tape & Reel (TR)
最大的基射极饱和电压	2@2mA@1A
供应商封装形式	TO-226
最小直流电流增益	25000@200mA@5V\|15000@500mA@5V\|400...
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
最大集电极发射极电压	50
最大基地发射极电压	12
封装	Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压	1@2mA@200mA\|1.5@2mA@1A
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	60
Maximum Continuous DC Collector Current	1.2
最低工作温度	-55
类型	NPN
引脚数	3
最大功率耗散	1000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	1.2A
晶体管类型	NPN - Darlington
安装类型	Through Hole
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	1.5V @ 2mA, 1A
标准包装	2,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
供应商设备封装	TO-226
功率 - 最大	1W
封装/外壳	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	4000 @ 1A, 5V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
TN6725A_D26Z	Fairchild Semiconductor	Transistors Darlington NPN Darlington Trans Dbl-Diff Si
TN6725A_D28Z	Fairchild Semiconductor	Transistors Darlington
TN6725A_D74Z	fairchild semiconductor	NPN DARL MLITHIC, DBL-DIFF, SI
TN6725A_D75Z	fairchild semiconductor	NPN DARL MLITHIC, DBL-DIFF, SI
TN6725A	fairchild semiconductor	NPN DARL MLITHIC, DBL-DIFF, SI
TN6725A_Q	Fairchild Semiconductor	Transistors Darlington NPN Darlington Trans Dbl-Diff Si

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